基板の単結晶面と同じ配向性をもつ単結晶層をその上に形成させることであり，例として，半導体デバイス製造における出発材料としての，Si ウエハの最終製造工程として用いられている。それは同時に，デバイス製造プロセスの最初の工程であることを意味する。Si のエピタキシャル成長は，CVD 法によって行われているが，一般的には CVD が含まれる気相エピタキシー（VPE：Vapor Phase Epitaxy），GaAs などのIII-V 族金属間化合物の分野で実用化されている液相エピタキシー（LPE：Liquid Phase Epitaxy），単結晶とアモルファス界面で進行する固相エピタキシー（SPE：Solid Phase Epitaxy）に大別される。